সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেট
video
সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেট

সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেট

উপাদান: Si3N4 সিরামিক
তাপীয় পরিবাহিতা: 85 ডাব্লু / এমকে
ঘনত্ব: 3.20 গ্রাম / সেমি 3
রঙ: ধূসর
সর্বাধিক তাপমাত্রা ব্যবহার করুন: 1,200 ডিগ্রি সে
অনুসন্ধান পাঠান
পণ্য পরিচিতি

ইউনিক্রেটেকের সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেট সি 3 এন 4 সিরামিক দিয়ে তৈরি। পরিবেশ দূষণ কমাতে এবং একটি সবুজ অর্থনীতি তৈরির জন্য, বিদ্যুতের দক্ষ ব্যবহার আরও বেশি গুরুত্বপূর্ণ হয়ে উঠেছে, যা বৈদ্যুতিন ডিভাইসে তাপ অপচয় হ্রাসকারী স্তরগুলির জন্য উচ্চতর প্রয়োজনীয়তাও এগিয়ে দেয়। তাত্ত্বিক সিরামিক সাবস্ট্রেটের যেমন অসুবিধাগুলি যেমন অ্যালএন, আল 2 ও 3, এবং বিও ক্রমবর্ধমান বিশিষ্ট যেমন নিম্ন তাত্ত্বিক তাপ পরিবাহিতা এবং দুর্বল যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলি এর বিকাশকে মারাত্মকভাবে বাধা দিয়েছে। Traditionalতিহ্যবাহী সিরামিক সাবস্ট্রেট উপকরণগুলির সাথে তুলনা করে, সিলিকন নাইট্রাইড সিরামিক তার দুর্দান্ত তাত্ত্বিক তাপীয় পরিবাহিতা এবং ভাল যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যের কারণে ধীরে ধীরে বৈদ্যুতিন ডিভাইসের জন্য নতুন উন্নত তাপ অপচয় দ্রষ্টব্য উপাদান পছন্দ হয়ে উঠেছে।

তবে, সি 3 এন 4 প্লেটের প্রকৃত তাপ পরিবাহিতা তাত্ত্বিক তাপ পরিবাহিতা থেকে অনেক কম এবং কিছু উচ্চ তাপ পরিবাহী সিলিকন নাইট্রাইড সিরামিক স্তরগুলি (জিজি জিটি; 150 ডব্লু / এম · কে) এখনও পরীক্ষাগার পর্যায়ে রয়েছে। সিলিকন নাইট্রাইড সিরামিকের তাপ পরিবাহিতা প্রভাবিত করে এমন উপাদানগুলির মধ্যে রয়েছে জালিক অক্সিজেন, স্ফটিক পর্যায়ে এবং শস্যের সীমানা। এছাড়াও, স্ফটিক ধরণের রূপান্তর এবং স্ফটিক অক্ষ অরিয়েন্টেশন সিলিকন নাইট্রাইডের তাপ পরিবাহিতা একটি নির্দিষ্ট পরিমাণেও প্রভাবিত করতে পারে। সিআইএনএন 4 সিরামিক সাবস্ট্রেটের ব্যাপক উত্পাদন কীভাবে অর্জন করা যায় তাও একটি বড় সমস্যা।


প্রযুক্তিগত তথ্য শীট

আইটিইএম

ইউএনআইটি

সিএস-সি 3 এন 4

ঘনত্ব

জি / সেমি3

জিজি জিটি; 3.2

রঙ

-

ধূসর

জল শোষণ

%

0

ওয়ারপেজ

-

জিজি এলটি; 2

পৃষ্ঠের রুক্ষতা (রা)

উম

0.2 - 0.6

নমনীয় শক্তি

এমপিএ

জিজি জিটি; 800

তাপীয় পরিবাহিতা (25 ℃)

W/m.K

জিজি জিটি; 85

তাপীয় প্রসারণ সহগ (25 - 300 ℃)

10-6মিমি / ℃

2.7

তাপীয় প্রসারণ সহগ (300 - 800)

10-6মিমি / ℃

3.2

সর্বাধিক কাজ তাপমাত্রা

℃

জিজি এলটি; 1,200

অস্তরক শক্তি

কেভি / ㎜

জিজি জিটি; 15

ডাইইলেকট্রিক ধ্রুবক

1 মেগাহার্টজ

8-10

বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ ক্ষমতা (25 ℃)

।। সেমি

জিজি জিটি; 1014

Above উপরোক্ত তথ্যগুলি কেবলমাত্র রেফারেন্স এবং তুলনা করার জন্য দেওয়া হয়, সঠিক পদ্ধতি উত্পাদন পদ্ধতি এবং অংশের কনফিগারেশনের উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হয়।


এই সমস্যাগুলি সমাধান করার জন্য, UNIPRETEC সম্পর্কিত প্রস্তুতির প্রক্রিয়াগুলির ক্রমাগত অনুকূলকরণের প্রতিশ্রুতিবদ্ধ এবং সিলিকন নাইট্রাইড প্লেটের প্রকৃত তাপ পরিবাহিতাও ধারাবাহিকভাবে উন্নতি করছে improving জালির অক্সিজেন সামগ্রী হ্রাস করতে, প্রথমে কাঁচামাল নির্বাচনের ক্ষেত্রে অক্সিজেন সামগ্রী হ্রাস করুন। একদিকে, অপেক্ষাকৃত ছোট অক্সিজেন সামগ্রী সহ সি পাউডারটি শুরুর উপাদান হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। তৃতীয়ত, উপযুক্ত সিন্টারিং এইডস চয়ন করা অক্সিজেন সামগ্রী হ্রাস করে তাপ পরিবাহিতাও বাড়িয়ে তুলতে পারে। তদতিরিক্ত, বীজ স্ফটিক যুক্ত করে এবং স্ফটিক ফর্ম রূপান্তর প্রচারের জন্য সিনটারিং তাপমাত্রা বৃদ্ধি করে এবং শস্যকে দিকনির্দেশক করে তুলতে চৌম্বকীয় ক্ষেত্র প্রয়োগ করে তাপ পরিবাহিতা একটি নির্দিষ্ট পরিমাণে উন্নত করা যায়। বৈদ্যুতিন ডিভাইসের আকারের প্রয়োজনীয়তাগুলি মেটানোর জন্য, ইউনিক্রেটেক সিলিকন নাইট্রাইড শীট, ওয়েফার, সাবস্ট্রেট প্রস্তুত করতে একটি টেপ ingালাই প্রক্রিয়া ব্যবহার করে।

গরম ট্যাগ: সিলিকন নাইট্রাইড স্তর, চীন, সরবরাহকারী, উত্পাদনকারী, কারখানা

(0/10)

clearall